Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
EPC2103ENGRT
GANFET TRANS SYM HALF BRDG 80V
EPC2103ENGRT Hakkında
EPC2103ENGRT, EPC tarafından üretilen GaN (Gallium Nitride) tabanlı FET transistördür. Simetrik half-bridge konfigürasyonunda iki adet N-channel transistöre sahip olan bu bileşen, 80V drain-source voltajı ve 23A sürekli drenaj akımı ile çalışır. 5.5mOhm on-state resistance değeri ile düşük güç kaybı sağlar. Gate charge 6.5nC ve input capacitance 7600pF özellikleriyle hızlı anahtarlama uygulamalarında kullanılır. Güç elektronikleri, DC-DC dönüştürücüler, motor kontrolü ve anahtarlamalı güç kaynakları gibi uygulamalar için tasarlanmıştır. Die paket ile yüksek yoğunluklu montaj imkanı sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 23A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 80V |
| FET Feature | GaNFET (Gallium Nitride) |
| FET Type | 2 N-Channel (Half Bridge) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 6.5nC @ 5V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 7600pF @ 40V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | Die |
| Part Status | Market |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.5mOhm @ 20A, 5V |
| Supplier Device Package | Die |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 7mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok