Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
EPC2103
GAN TRANS SYMMETRICAL HALF BRIDG
EPC2103 Hakkında
EPC2103, Gallium Nitride (GaN) tabanlı simetrik half-bridge transistör konfigürasyonunda iki N-Channel FET içeren entegre bir bileşendir. 80V drain-source voltaj derecelendirilmesi ve 28A sürekli dren akımı kapasitesi ile güç dönüştürme uygulamalarında kullanılır. 5.5mΩ maksimum on-state direnci düşük kayıplar sağlar. 6.5nC gate charge ve 760pF input capacitance ile hızlı anahtarlama özelliğine sahiptir. Die formunda sunulan bu bileşen, güç kaynakları, DC-DC konverterler, inverterler ve motor sürücü uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir. -40°C ile 150°C arasında çalışır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 28A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 80V |
| FET Feature | GaNFET (Gallium Nitride) |
| FET Type | 2 N-Channel (Half Bridge) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 6.5nC @ 5V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 760pF @ 40V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | Die |
| Part Status | Active |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.5mOhm @ 20A, 5V |
| Supplier Device Package | Die |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 7mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok