Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
EPC2102ENGRT
GANFET 2 N-CHANNEL 60V 23A DIE
EPC2102ENGRT Hakkında
EPC2102ENGRT, EPC tarafından üretilen GaNFET (Gallium Nitride Field Effect Transistor) teknolojisini kullanan 2 adet N-channel transistör dizisidir. Half-bridge konfigürasyonunda tasarlanan bu komponent, 60V drain-source voltaj ve 23A sürekli dren akımı kapasitesine sahiptir. 4.4mΩ drain-source on-direnci ile düşük güç kaybı sağlar. GaNFET yapısı, geleneksel MOSFET'lere kıyasla daha hızlı anahtarlama ve daha düşük kapasitanslı davranış sunarak enerji verimliliğini artırır. 6.8nC gate charge değeri hızlı sürücü devreleri kullanılmasını mümkün kılar. Die paketinde sunulan bu komponent, güç dönüştürücüler, anahtarmalı güç kaynakları (SMPS), solar invertörler ve motor kontrol uygulamalarında kullanılır. -40°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığı geniş sıcaklık ortamlarında güvenilir performans sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 23A (Tj) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
| FET Feature | GaNFET (Gallium Nitride) |
| FET Type | 2 N-Channel (Half Bridge) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 6.8nC @ 5V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 830pF @ 30V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | Die |
| Part Status | Market |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.4mOhm @ 20A, 5V |
| Supplier Device Package | Die |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 7mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok