Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
EPC2102
GAN TRANS SYMMETRICAL HALF BRIDG
EPC2102 Hakkında
EPC2102, EPC tarafından üretilen GaN (Gallium Nitride) teknolojisine dayalı simetrik half bridge transistör dizisidir. İçerisinde iki adet N-channel FET barındıran bu bileşen, 60V drain-source geriliminde 23A sürekli akım kapasitesi sunar. 4.4mOhm on-resistance değeri ile düşük güç kaybı sağlar. Gate charge 6.8nC ve input capacitance 830pF ile hızlı anahtarlama özellikleri vardır. -40°C ile 150°C arasında çalışabilen bu die paketi bileşen, power conversion sistemleri, DC-DC dönüştürücüler, motor kontrol ve switched-mode power supplies (SMPS) gibi uygulamalarda kullanılır. GaNFET teknolojisi sayesinde yüksek anahtarlama frekanslarında çalışabilir ve verimli güç yönetimi sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 23A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
| FET Feature | GaNFET (Gallium Nitride) |
| FET Type | 2 N-Channel (Half Bridge) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 6.8nC @ 5V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 830pF @ 30V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | Die |
| Part Status | Active |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.4mOhm @ 20A, 5V |
| Supplier Device Package | Die |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 7mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok