Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
EPC2101ENGRT
GAN TRANS ASYMMETRICAL HALF BRID
EPC2101ENGRT Hakkında
EPC2101ENGRT, EPC tarafından üretilen asimetrik yarım köprü (asymmetrical half bridge) konfigürasyonuna sahip GaN (Gallium Nitride) FET transistördür. 60V drain-source voltajı ve 38A maksimum drenaj akımı ile yüksek güç yoğunluğu uygulamalarında kullanılır. 11.5mOhm RDS(on) değeri ile düşük iletim kayıpları sağlar. 2.7nC gate charge ve 300pF input capacitance ile hızlı anahtarlama özellikleri sunar. Die paket formatında sunulan bu bileşen, güç dönüştürme devreleri, invertör, DC-DC konvertörleri ve anahtarlama güç kaynakları gibi uygulamalarda tercih edilir. -40°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığında güvenilir performans gösterir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 9.5A, 38A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
| FET Feature | GaNFET (Gallium Nitride) |
| FET Type | 2 N-Channel (Half Bridge) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 2.7nC @ 5V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 300pF @ 30V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | Die |
| Part Status | Market |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 11.5mOhm @ 20A, 5V |
| Supplier Device Package | Die |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 2mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok