Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
EPC2101
GAN TRANS ASYMMETRICAL HALF BRID
EPC2101 Hakkında
EPC2101, Gallium Nitride (GaN) teknolojisine dayalı bir asimetrik half-bridge transistör dizisidir. İki N-channel FET içeren bu bileşen, 60V drain-source geriliminde çalışabilir ve 38A sürekli drenaj akımı sağlayabilir. Düşük gate charge (2.7nC @ 5V) ve minimal RDS(on) (2.7mOhm @ 20A, 5V) değerleri ile yüksek verimli güç dönüştürme uygulamalarında kullanılır. Die paket montaj tipi, yüksek integrasyon gerektiren endüstriyel şarj sistemleri, DC-DC dönüştürücüler, motor sürücüleri ve güç kaynaklarında tercih edilir. -40°C ile +150°C arasındaki geniş çalışma sıcaklık aralığı, zorlu çevre koşullarında da güvenilir operasyon sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 9.5A, 38A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
| FET Feature | GaNFET (Gallium Nitride) |
| FET Type | 2 N-Channel (Half Bridge) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 2.7nC @ 5V, 12nC @ 5V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 300pF @ 30V, 1200pF @ 30V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | Die |
| Part Status | Active |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 11.5mOhm @ 20A, 5V, 2.7mOhm @ 20A, 5V |
| Supplier Device Package | Die |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 3mA, 2.5V @ 12mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok