Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
EPC2100ENGRT
GANFET 2 N-CH 30V 9.5A/38A DIE
EPC2100ENGRT Hakkında
EPC2100ENGRT, Gallium Nitride (GaN) teknolojisine dayalı 2 adet N-channel FET içeren bir half-bridge transistör dizisidir. 30V drain-source voltaj derecelendirmesi ve 10A sürekli drenaj akımı (25°C'de) ile tasarlanmıştır. Die (çip) paketinde sunulan bu bileşen, yüksek frekanslı anahtarlama uygulamalarında kullanılır. Düşük gate charge (4.9nC @ 15V) ve düşük RDS(on) (8.2mΩ @ 25A, 5V) özellikleri güç dönüştürme, şarj yönetimi ve DC-DC konvertör uygulamalarında verimlilik sağlar. -40°C ile 150°C arasında çalışır. Surface mount uyumlu olan bu bileşen, yoğun entegrasyon gerektiren endüstriyel ve tüketici elektronik tasarımlarına uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 10A (Ta), 40A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| FET Feature | GaNFET (Gallium Nitride) |
| FET Type | 2 N-Channel (Half Bridge) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 4.9nC @ 15V, 19nC @ 15V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 475pF @ 15V, 1960pF @ 15V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | Die |
| Part Status | Active |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8.2mOhm @ 25A, 5V, 2.1mOhm @ 25A, 5V |
| Supplier Device Package | Die |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 4mA, 2.5V @ 16mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok