Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
EPC2100
GAN TRANS ASYMMETRICAL HALF BRID
EPC2100 Hakkında
EPC2100, Gallium Nitride (GaN) teknolojisine dayalı asimetrik half-bridge transistör dizisidir. İki N-channel FET içeren bu bileşen, 30V drain-source gerilimi ve 40A sürekli drenaj akımı kapasitesiyle çalışır. 2.1mΩ on-resistance değeri ile düşük güç kaybı sağlar. Die paketinde sunulan EPC2100, yüksek frekanslı uygulamalarda kullanılmak üzere tasarlanmıştır. Anahtarlama hızı ve verimlilik gerektiren güç elektronikleri, DC-DC dönüştürücüler, inverter devreleri ve hızlı anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. -40°C ile 150°C arasında çalışabilen komponentin minimum kapı gerilimi 2.5V'dir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 10A (Ta), 40A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| FET Feature | GaNFET (Gallium Nitride) |
| FET Type | 2 N-Channel (Half Bridge) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 4.9nC @ 15V, 19nC @ 15V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 475pF @ 15V, 1960pF @ 15V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | Die |
| Part Status | Active |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8.2mOhm @ 25A, 5V, 2.1mOhm @ 25A, 5V |
| Supplier Device Package | Die |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 4mA, 2.5V @ 16mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok