Transistörler - Bipolar (BJT) - Diziler
EMZ1FHAT2R
PNP+NPN GENERAL PURPOSE AMPLIFIC
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- SOT-563
- Seri / Aile Numarası
- EMZ1FHAT2R
EMZ1FHAT2R Hakkında
EMZ1FHAT2R, ROHM Semiconductor tarafından üretilen PNP ve NPN transistörlerden oluşan bir dizi komponenttir. Surface mount SOT-563 ve SOT-666 paketlerde sunulan bu transistör dizisi, genel amaçlı amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. 150mA maksimum collector akımı, 180MHz transition frequency ve 120 minimum DC current gain (hFE) ile orta hızlı sinyal işleme görevlerine uygundur. 50V breakdown voltajı ve 150mW maksimum güç ile düşük seviye sinyal amplifikasyon, switching ve analog devre tasarımlarında tercih edilir. Düşük collector cutoff akımı (100nA) ile kapalı durum karakteristikleri iyidir. -40°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığına sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 150mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 120 @ 1mA, 6V |
| Frequency - Transition | 180MHz, 140MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | SOT-563, SOT-666 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 150mW |
| Supplier Device Package | EMT6 |
| Transistor Type | NPN, PNP |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 400mV @ 5mA, 50mA, 500mV @ 5mA, 50mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok