Transistörler - Bipolar (BJT) - Diziler
EMZ1DXV6T5G
TRANS NPN/PNP 60V 0.1A SOT563
EMZ1DXV6T5G Hakkında
EMZ1DXV6T5G, onsemi tarafından üretilen dual NPN/PNP BJT transistör dizisidir. SOT-563 (SOT-666) yüzey montajlı paket içinde sunulan bu komponent, maksimum 60V Vce breakdown voltajı ve 100mA collector akımı ile çalışabilir. 180MHz ve 140MHz transition frekanslarına sahip bu transistörler, sinyal amplifikasyonu, anahtarlama ve lojik devreler gibi uygulamalarda kullanılır. -55°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklığını destekler ve maksimum 500mW güç tüketimi kapasitesine sahiptir. DC current gain değerleri 120 ile 400mV arasındaki doyum voltajları, hassas sinyal işleme ve düşük güçlü anahtarlama uygulamalarında tercih edilmesini sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 120 @ 1mA, 6V |
| Frequency - Transition | 180MHz, 140MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | SOT-563, SOT-666 |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 500mW |
| Supplier Device Package | SOT-563 |
| Transistor Type | NPN, PNP |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 400mV @ 5mA, 50mA, 500mV @ 5mA, 50mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 60V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok