Transistörler - Bipolar (BJT) - Diziler
EMX2DXV6T5G
TRANS 2NPN 50V 0.1A SOT563
EMX2DXV6T5G Hakkında
EMX2DXV6T5G, onsemi tarafından üretilen dual NPN BJT transistör dizisidir. SOT-563 yüzey montajı paketi içinde iki adet NPN transistör barındırır. 50V kolektör-emiter gerilimi, 100mA maksimum kolektör akımı ve 500mW güç dağıtım kapasitesiyle orta güç uygulamalarında kullanılır. 180MHz geçiş frekansı ve minimum 120 DC akım kazancı (hFE) ile darbe ve sinyal işleme devrelerinde, anahtarlama uygulamalarında ve RF kaskadlı tasarımlarda tercih edilir. -55°C ile 150°C arasındaki geniş çalışma sıcaklık aralığı, güç şartlı ve endüstriyel ortam uygulamalarına uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 120 @ 1mA, 6V |
| Frequency - Transition | 180MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | SOT-563, SOT-666 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 500mW |
| Supplier Device Package | SOT-563 |
| Transistor Type | 2 NPN (Dual) |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 400mV @ 5mA, 50mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok