Transistörler - Bipolar (BJT) - Diziler

EMX1FHAT2R

NPN+NPN GENERAL PURPOSE AMPLIFIC

Paket/Kılıf
SOT-563
Seri / Aile Numarası
EMX1FHAT2R

EMX1FHAT2R Hakkında

EMX1FHAT2R, ROHM Semiconductor tarafından üretilen dual NPN transistör dizisidir. İki bağımsız NPN transistöründen oluşan bu bileşen, genel amaçlı amplifikasyon, anahtarlama ve sinyal işleme uygulamalarında kullanılır. 150mA maksimum kolektör akımı ve 180MHz geçiş frekansı ile orta hızlı işlemlere uygun performans sağlar. SOT-563/SOT-666 yüzey montaj paketinde sunulan komponent, mobil cihazlar, tüketici elektroniği, ses-video ekipmanları ve endüstriyel kontrol sistemlerinde yaygın olarak yer alır. 50V maksimum kolektör-emiter gerilimi ve 150mW güç derecelendirmesi ile güvenli tasarım parametreleri içerir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 150mA
Current - Collector Cutoff (Max) 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 120 @ 1mA, 6V
Frequency - Transition 180MHz
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature 150°C (TJ)
Package / Case SOT-563, SOT-666
Part Status Active
Power - Max 150mW
Supplier Device Package EMT6
Transistor Type 2 NPN (Dual)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 400mV @ 5mA, 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok