Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Diziler
EMH9T2R
TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W EMT6
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- SOT-563
- Seri / Aile Numarası
- EMH9T2R
EMH9T2R Hakkında
EMH9T2R, ROHM Semiconductor tarafından üretilen dual NPN pre-biased transistor dizisidir. SOT-563 ve SOT-666 surface mount paketlerde sunulan bu bileşen, entegre base ve emitter resistörleri (R1: 10kΩ, R2: 47kΩ) içerir. 100mA maksimum collector akımı, 250MHz transition frequency ve 50V collector-emitter breakdown voltajı ile hızlı anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 150mW güç dissipasyonu kapasitesi ve 68 minimum DC current gain (hFE) ile lojik sinyal seviyesi dönüştürme, aydınlatma kontrolü, sensör arayüzü ve düşük güçlü switching devrelerinde uygulanır. Pre-biased yapısı sayesinde minimum harici bileşenle hızlı tasarım gerçekleştirilmesini sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 68 @ 5mA, 5V |
| Frequency - Transition | 250MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | SOT-563, SOT-666 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 150mW |
| Resistor - Base (R1) | 10kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 47kOhms |
| Supplier Device Package | EMT6 |
| Transistor Type | 2 NPN - Pre-Biased (Dual) |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 250µA, 5mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok