Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Diziler
EMH4T2R
TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W EMT6
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- SOT-563
- Seri / Aile Numarası
- EMH4T2R
EMH4T2R Hakkında
EMH4T2R, ROHM Semiconductor tarafından üretilen dual NPN ön beslemeli transistör dizisidir. SOT-563 (EMT6) yüzey montajlı paketinde sunulan bu komponent, maksimum 100mA collector akımı ve 250MHz transition frequency ile çalışır. 10kOhms base direnci ile ön yüklenmiş yapı sayesinde hızlı anahtar uygulamalarında ve sinyal işleme devrelerinde kullanılır. 50V collector-emitter breakdown voltajı ve 150mW maksimum güç derecelendirmesi ile düşük güçlü anahtarlama, amplifikasyon ve mantık devrelerine uygundur. DC current gain (hFE) minimum 100 değeri ile güvenilir çalışma sağlar. Ön yüklenmiş tasarımı nedeniyle yazılım kontrollü cihazlarda, sensör arayüzlerinde ve dijital kontrolü gerektiren anahtarlama uygulamalarında tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 1mA, 5V |
| Frequency - Transition | 250MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | SOT-563, SOT-666 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 150mW |
| Resistor - Base (R1) | 10kOhms |
| Supplier Device Package | EMT6 |
| Transistor Type | 2 NPN - Pre-Biased (Dual) |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 1mA, 10mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok