Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Diziler
EMH4FHAT2R
NPN+NPN DIGITAL TRANSISTOR (CORR
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- SOT-563
- Seri / Aile Numarası
- EMH4FHAT2R
EMH4FHAT2R Hakkında
EMH4FHAT2R, ROHM Semiconductor tarafından üretilen dual NPN ön beslemeli dijital transistördür. SOT-563/SOT-666 SMD paketinde sunulan bu komponent, her transistör içerisinde entegre 10kΩ base direnç içerir. Maksimum 100mA kollektör akımı ve 50V breakdown voltajı ile çalışabilen komponent, 1mA akımda 100 minimum DC akım kazancına (hFE) sahiptir. 250MHz transition frequency özelliği sayesinde hızlı anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 300mV maksimum Vce(sat) değeri, düşük güç tüketimi gerektiren dijital lojik devreleri, sürücü uygulamaları ve kontrol elektroniklerinde tercih edilir. 150mW maksimum güç dağılımı kapasitesi ile sensör arayüzleri ve sinyal kontrol devreleri tasarımında uygulanabilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 1mA, 5V |
| Frequency - Transition | 250MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | SOT-563, SOT-666 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 150mW |
| Resistor - Base (R1) | 10kOhms |
| Supplier Device Package | EMT6 |
| Transistor Type | 2 NPN - Pre-Biased (Dual) |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 1mA, 10mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok