Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Diziler
EMH3T2R
TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W EMT6
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- SOT-563
- Seri / Aile Numarası
- EMH3T2R
EMH3T2R Hakkında
EMH3T2R, ROHM Semiconductor tarafından üretilen ön beslemeli dual NPN transistör dizisidir. SOT-563 ve SOT-666 surface mount paketlerinde sunulan bu komponent, entegre 4.7kOhms base direnci ile beraber gelmektedir. 100mA maksimum collector akımı, 250MHz transition frequency ve 50V collector-emitter breakdown voltajı ile çalışır. 150mW güç kapasitesine sahip olan EMH3T2R, darbe uygulamaları, lojik seviye kaydırıcılar, anahtarlama devreleri ve sinyal amplifikasyonu gibi uygulamalarda kullanılmaktadır. Ön yüklemeli tasarımı sayesinde hızlı komütasyon ve düşük açılış zamanı sağlar. Gürültüye duyarlı uygulamalarda ve low-level sinyal işlemede tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 1mA, 5V |
| Frequency - Transition | 250MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | SOT-563, SOT-666 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 150mW |
| Resistor - Base (R1) | 4.7kOhms |
| Supplier Device Package | EMT6 |
| Transistor Type | 2 NPN - Pre-Biased (Dual) |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 250µA, 5mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok