Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Diziler
EMH3FHAT2R
NPN+NPN DIGITAL TRANSISTOR (CORR
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- SOT-563
- Seri / Aile Numarası
- EMH3FHAT2R
EMH3FHAT2R Hakkında
EMH3FHAT2R, ROHM Semiconductor tarafından üretilen dual NPN pre-biased dijital transistör yapısındaki bir yükseltmen bileşenidir. SOT-563 ve SOT-666 SMD paketlerinde sunulan bu komponent, 100mA maksimum collector akımı ve 250MHz geçiş frekansı ile çalışan iki NPN transistöre sahiptir. Bileşik 4.7kΩ base direncine sahip pre-biased tasarımı sayesinde harici biyazlama dirençlerine gerek duymadan doğrudan lojik devrelere bağlanabilir. 50V maksimum collector-emitter breakdown voltajı ve 300mV satürasyon voltajı, 150mW güç tüketimiyle entegre amplifikatörler, anahtarlama devreleri, sürücü uygulamaları ve dijital sinyal işleme uygulamalarında kullanılmaktadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 1mA, 5V |
| Frequency - Transition | 250MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | SOT-563, SOT-666 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 150mW |
| Resistor - Base (R1) | 4.7kOhms |
| Supplier Device Package | EMT6 |
| Transistor Type | 2 NPN - Pre-Biased (Dual) |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 250µA, 5mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok