Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Diziler
EMH2T2R
TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W EMT6
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- SOT-563
- Seri / Aile Numarası
- EMH2T2R
EMH2T2R Hakkında
EMH2T2R, ROHM Semiconductor tarafından üretilen dual NPN ön beslemeli (pre-biased) transistör dizisidir. SOT-563 ve SOT-666 yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, her transistörde entegre 47kΩ base ve emitter-base dirençleri içerir. Maksimum 100mA kolektör akımı, 250MHz transition frequency ve 50V breakdown voltajı ile çalışabilir. 150mW güç dağıtımına kapadir ve 300mV doyum voltajında operasyon gösterir. Ön beslemeli yapısı nedeniyle anahtarlama uygulamalarında hızlı tepki sağlar ve sinyal işleme, lojik seviye çevirme, gerilim regülatörleri ve darbe modülasyonu devrelerinde kullanılır. 68 minimum DC akım kazancı (hFE) ile güvenilir amplifikasyon sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 68 @ 5mA, 5V |
| Frequency - Transition | 250MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | SOT-563, SOT-666 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 150mW |
| Resistor - Base (R1) | 47kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 47kOhms |
| Supplier Device Package | EMT6 |
| Transistor Type | 2 NPN - Pre-Biased (Dual) |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 10mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok