Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Diziler
EMH2FHAT2R
NPN+NPN DIGITAL TRANSISTOR (CORR
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- SOT-563
- Seri / Aile Numarası
- EMH2FHAT2R
EMH2FHAT2R Hakkında
EMH2FHAT2R, ROHM Semiconductor tarafından üretilen dual NPN ön beslemeli transistör dizisidir. SOT-563 ve SOT-666 yüzey montaj paketinde sunulan bu komponent, her bir transistöre entegre 47kΩ base ve 47kΩ emitter-base dirençlerinin yer aldığı dijital uygulamalar için optimize edilmiş bir yapıya sahiptir. 250MHz transition frequency ile hızlı anahtarlama işlemlerini destekler. Maksimum 100mA kollektör akımı, 50V VCEO breakdown voltajı ve 150mW güç disipasyonu kapasitesi ile logic seviyesi sürüş uygulamalarında kullanılır. Entegre dirençleri sayesinde harici direnç eklenmeksizin doğrudan dijital sinyal işlemede, mikrodenetleyici çıkış aşamaları ve anahtarlama devrelerinde tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 68 @ 5mA, 5V |
| Frequency - Transition | 250MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | SOT-563, SOT-666 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 150mW |
| Resistor - Base (R1) | 47kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 47kOhms |
| Supplier Device Package | EMT6 |
| Transistor Type | 2 NPN - Pre-Biased (Dual) |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 10mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok