Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Diziler
EMH25T2R
NPN+NPN DIGITAL TRANSISTOR(WITH
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- SOT-563
- Seri / Aile Numarası
- EMH25T
EMH25T2R Hakkında
EMH25T2R, ROHM Semiconductor tarafından üretilen dual NPN pre-biased dijital transistördür. İçerisinde temel dirençler (4.7kΩ ve 47kΩ) entegre edilmiş iki adet NPN transistörü barındırır. 100mA maksimum collector akımı, 250MHz transition frekansı ve 50V breakdown voltajı ile genel amaçlı dijital anahtarlama ve mantık uygulamalarında kullanılır. Surface mount SOT-563/SOT-666 paketi ile kompakt tasarımlara uygundur. 150mW maksimum güç tüketimi ve 80 minimum DC current gain (hFE) parametreleriyle çıkış sürücüleri, sinyal aktarım uygulamaları ve lojik seviye dönüştürme devrelerinde tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 10mA, 5V |
| Frequency - Transition | 250MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | SOT-563, SOT-666 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 150mW |
| Resistor - Base (R1) | 4.7kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 47kOhms |
| Supplier Device Package | EMT6 |
| Transistor Type | 2 NPN - Pre-Biased (Dual) |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 250µA, 5mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok