Transistörler - FET, MOSFET - Diziler

EMH2308-TL-E

MOSFET 2P-CH 20V 3A ECH8

Paket/Kılıf
8-SMD
Seri / Aile Numarası
EMH2308

EMH2308-TL-E Hakkında

EMH2308-TL-E, Rochester Electronics tarafından üretilen dual P-Channel MOSFET transistörlü entegre devredir. 20V Drain-Source gerilimi ve 3A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahip olan bu komponent, logic level gate kontrolü ile düşük gerilim uygulamalarında kullanılmaya uygundur. 85mOhm maksimum Rds(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. Surface mount 8-SMD paketinde sunulan EMH2308-TL-E, güç yönetimi, anahtar uygulamaları ve analog anahtarlama devrelerinde rol oynar. 4nC gate charge ve 320pF input kapasitansı hızlı anahtarlama performansı mümkün kılar. Maksimum 1.2W güç dissipasyonu ile sınırlı olan bu komponent, kompakt tasarımlar ve katı alan kısıtlamaları olan uygulamalarda tercih edilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 3A
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
FET Feature Logic Level Gate
FET Type 2 P-Channel (Dual)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 4nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 320pF @ 10V
Mounting Type Surface Mount
Package / Case 8-SMD, Flat Lead
Part Status Obsolete
Power - Max 1.2W
Rds On (Max) @ Id, Vgs 85mOhm @ 3A, 4.5V
Supplier Device Package 8-EMH

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok