Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Diziler

EMH1T2R

TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W EMT6

Paket/Kılıf
SOT-563
Seri / Aile Numarası
EMH1T2R

EMH1T2R Hakkında

EMH1T2R, ROHM Semiconductor tarafından üretilen ön beslemeli dual NPN transistör (2NPN Pre-Biased) dizisidir. SOT-563 ve SOT-666 yüzey montaj paketlerinde sunulan bu bileşen, entegre 22kΩ temel dirençleri ile beraber gelir. Maksimum 100mA collector akımı ve 250MHz transition frekansı ile hızlı anahtarlama uygulamaları için uygundur. 150mW güç derecelendirmesi ve 50V collector-emitter kırılma gerilimi ile genel amaçlı sinyal işleme, lojik uygulamaları ve darbe kısıtlaması devrelerinde kullanılır. 300mV Vce saturation gerilimi ile düşük güç kayıpları sağlar. Kompakt dual yapısı PCB alanından tasarruf sağlar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 100mA
Current - Collector Cutoff (Max) 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 56 @ 5mA, 5V
Frequency - Transition 250MHz
Mounting Type Surface Mount
Package / Case SOT-563, SOT-666
Part Status Active
Power - Max 150mW
Resistor - Base (R1) 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2) 22kOhms
Supplier Device Package EMT6
Transistor Type 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 500µA, 10mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok