Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Diziler
EMH1FHAT2R
NPN+NPN DIGITAL TRANSISTOR (CORR
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- SOT-563
- Seri / Aile Numarası
- EMH1FHAT2R
EMH1FHAT2R Hakkında
EMH1FHAT2R, ROHM Semiconductor tarafından üretilen dual NPN pre-biased dijital transistördür. SOT-563 ve SOT-666 paketlerde sunulan bu bileşen, entegre base ve emitter dirençleri (22kΩ) ile önceden yapılandırılmıştır. 100mA maksimum collector akımı, 250MHz transition frekansı ve 150mW güç kapasitesi ile dijital lojik devreler, sürücü uygulamaları ve sinyal anahtarlama işlemlerinde kullanılır. 56 minimum DC current gain (hFE) ve 300mV maksimum Vce saturation voltajı ile hızlı anahtarlama performansı sağlar. Surface mount teknolojisi ile PCB entegrasyonu kolaylaştırır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 56 @ 5mA, 5V |
| Frequency - Transition | 250MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | SOT-563, SOT-666 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 150mW |
| Resistor - Base (R1) | 22kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 22kOhms |
| Supplier Device Package | EMT6 |
| Transistor Type | 2 NPN - Pre-Biased (Dual) |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 10mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok