Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Diziler
EMH11T2R
TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W EMT6
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- SOT-563
- Seri / Aile Numarası
- EMH11T
EMH11T2R Hakkında
EMH11T2R, ROHM Semiconductor tarafından üretilen dual NPN pre-biased transistör dizisidir. SOT-563 (EMT6) ve SOT-666 paketinde sunulan bu bileşen, entegre 10kΩ base ve emitter-base direnç ağları ile doğrudan kullanıma hazır bir transistör çifti içerir. Maksimum 100mA collector akımı, 250MHz transition frequency ve 50V breakdown voltajı ile orta frekanslı anahtarlama ve sinyal işleme uygulamalarında kullanılır. 150mW güç dissipasyonu kapasitesi, düşük power consumption tasarımlarında tercih edilmesini sağlar. Pre-biased yapısı sayesinde harici bias dirençlerine gerek kalmadan lojik seviyeleri driver, aşırı akım koruması ve darbe şeklendirme devrelerinde uygulanır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 30 @ 5mA, 5V |
| Frequency - Transition | 250MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | SOT-563, SOT-666 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 150mW |
| Resistor - Base (R1) | 10kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 10kOhms |
| Supplier Device Package | EMT6 |
| Transistor Type | 2 NPN - Pre-Biased (Dual) |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 10mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok