Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Diziler
EMH11FHAT2R
NPN+NPN DIGITAL TRANSISTOR (CORR
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- SOT-563
- Seri / Aile Numarası
- EMH11FHAT2R
EMH11FHAT2R Hakkında
EMH11FHAT2R, ROHM Semiconductor tarafından üretilen dual NPN ön beslemeli (pre-biased) dijital transistördür. SOT-563/SOT-666 paketinde sunulan bu komponent, entegre base ve emitter direnişleriyle (her biri 10kΩ) doğrudan lojik devrelere bağlanabilir. 100mA maksimum kolektör akımı, 250MHz geçiş frekansı ve 150mW güç kapasitesi ile hızlı anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 30 minimum DC akım kazancı (hFE) ve 300mV saturasyon gerilimi, TTL/CMOS lojik seviyeleriyle uyumlu tasarım sağlar. Sinyal yükseltme, röle sürücüleri, LED kontrolü ve dijital anahtarlama devrelerinde tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 30 @ 5mA, 5V |
| Frequency - Transition | 250MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | SOT-563, SOT-666 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 150mW |
| Resistor - Base (R1) | 10kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 10kOhms |
| Supplier Device Package | EMT6 |
| Transistor Type | 2 NPN - Pre-Biased (Dual) |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 10mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok