Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Diziler
EMH10T2R
TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W EMT6
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- SOT-563
- Seri / Aile Numarası
- EMH10T2R
EMH10T2R Hakkında
EMH10T2R, ROHM Semiconductor tarafından üretilen dual NPN ön beslemeli (pre-biased) transistör dizisidir. Bu komponent, entegre baz ve emitter dirençleri ile yapılandırılmıştır; R1 ve R2 her ikisi 22kΩ değerinde olup, hızlı anahtarlama uygulamaları için tasarlanmıştır. Maximum collector akımı 100mA, transition frequency 250MHz ve VCE(sat) 300mV (max) özellikleriyle, dijital lojik devreleri, sürücü uygulamaları ve sinyal anahtarlaması için uygundur. Surface Mount SOT-563/EMT6 paketi, kompakt PCB tasarımlarında yer tasarrufu sağlar. 150mW maksimum power rating ve 50V VCE(breakdown) ile, orta güç uygulamalarında kullanılabilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 56 @ 5mA, 5V |
| Frequency - Transition | 250MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | SOT-563, SOT-666 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 150mW |
| Resistor - Base (R1) | 22kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 22kOhms |
| Supplier Device Package | EMT6 |
| Transistor Type | 2 NPN - Pre-Biased (Dual) |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 10mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok