Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Diziler
EMG9T2R
TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W EMT5
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- 4-SMD
- Seri / Aile Numarası
- EMG9T2R
EMG9T2R Hakkında
EMG9T2R, ROHM Semiconductor tarafından üretilen 2 NPN pre-biased transistör dizisidir. 6-SMD (5 Leads) yüzey montajlı paket içinde sunulan bu bileşen, entegre 10kΩ base ve emitter-base direnç ağları ile önceden biased konfigürasyonda gelir. Maksimum 100mA collector akımı ve 250MHz transition frequency ile hızlı anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 150mW güç dağıtım kapasitesi ve 50V collector-emitter breakdown voltajı ile genel amaçlı dijital ve analog devrelerde, özellikle lojik seviyeleri sürme, sinyal amplifikasyonu ve anahtarlama görevlerinde tercih edilir. 30 minimum DC current gain (hFE) ile düşük-orta güç uygulamalarına uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 30 @ 5mA, 5V |
| Frequency - Transition | 250MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | 6-SMD (5 Leads), Flat Lead |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 150mW |
| Resistor - Base (R1) | 10kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 10kOhms |
| Supplier Device Package | EMT5 |
| Transistor Type | 2 NPN - Pre-Biased (Dual) |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 10mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok