Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Diziler
EMG8T2R
TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W EMT5
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- 4-SMD
- Seri / Aile Numarası
- EMG8T2R
EMG8T2R Hakkında
EMG8T2R, ROHM Semiconductor tarafından üretilen dual NPN ön beslemeli transistör dizisidir. 6-SMD (5 lead) yassı kurşun paketinde sunulan bu komponent, 150mW güç kapasitesi ile anahtarlama ve sinyal işleme uygulamalarında kullanılır. 250MHz geçiş frekansı ile RF ve yüksek hızlı lojik devrelerinde, 100mA maksimum kolektör akımı ile orta güç uygulamalarında yer alabilir. Entegre R1 (4.7kΩ) ve R2 (47kΩ) dirençleri sayesinde ön beslemeli yapısı, tasarım basitliğini artırır ve PCB alanını ekonomik olarak kullanır. 50V Vce dağılım gerilimi, çeşitli endüstriyel ve tüketici elektronik uygulamalarına uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 10mA, 5V |
| Frequency - Transition | 250MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | 6-SMD (5 Leads), Flat Lead |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 150mW |
| Resistor - Base (R1) | 4.7kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 47kOhms |
| Supplier Device Package | EMT5 |
| Transistor Type | 2 NPN - Pre-Biased (Dual) |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 250µA, 5mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok