Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Diziler
EMG6T2R
TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W EMT5
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- 4-SMD
- Seri / Aile Numarası
- EMG6T2R
EMG6T2R Hakkında
EMG6T2R, ROHM Semiconductor tarafından üretilen çift NPN ön beslemeli transistör dizisidir. Surface mount 6-SMD (5 Leads) pakette sunulan bu komponent, 100mA maksimum kollektör akımı ve 250MHz transition frequency ile çalışır. 47kOhm base direnci ile ön beslemeli yapısı, geçiş sürelerini iyileştirerek lojik devre uygulamalarında hızlı komütasyon sağlar. 50V Vce breakdown voltajı ve 150mW maksimum güç derecelendirmesi ile, signal switching, lojik gate driver ve düşük güçlü amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. Düşük ICBO kaçak akımı (500nA max) ve 300mV saturation voltajı ile verimli performans sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 1mA, 5V |
| Frequency - Transition | 250MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | 6-SMD (5 Leads), Flat Lead |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 150mW |
| Resistor - Base (R1) | 47kOhms |
| Supplier Device Package | EMT5 |
| Transistor Type | 2 NPN - Pre-Biased (Dual) |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 1mA, 10mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok