Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Diziler

EMG2T2R

TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W EMT5

Paket/Kılıf
4-SMD
Seri / Aile Numarası
EMG2T2R

EMG2T2R Hakkında

EMG2T2R, ROHM Semiconductor tarafından üretilen dual NPN pre-biased transistör dizisidir. Surface mount EMT5 paketinde sunulan bu komponent, 150mW güç kapasitesi ve 50V Vce(br) rating'i ile entegre uygulamalarda kullanılır. İç yapısında 47kΩ base ve emitter-base dirençleri bulunarak ön beslemeli (pre-biased) konfigürasyon sağlar. 100mA maksimum kolektör akımı, 250MHz geçiş frekansı ve 300mV saturasyon voltajı (10mA Ic'de) ile sayısal lojik devreleri, darbe şekillendirme, anahtar uygulamaları ve basit amplifikasyon stajlarında tercih edilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 100mA
Current - Collector Cutoff (Max) 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 68 @ 5mA, 5V
Frequency - Transition 250MHz
Mounting Type Surface Mount
Package / Case 6-SMD (5 Leads), Flat Lead
Part Status Active
Power - Max 150mW
Resistor - Base (R1) 47kOhms
Resistor - Emitter Base (R2) 47kOhms
Supplier Device Package EMT5
Transistor Type 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 500µA, 10mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok