Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Diziler
EMG2DXV5T1G
TRANS 2NPN PREBIAS 0.23W SOT553
EMG2DXV5T1G Hakkında
EMG2DXV5T1G, onsemi tarafından üretilen 2 NPN transistörden oluşan ön beslemeli (pre-biased) bir dizin yapı komponentdir. SOT-553 yüzey montajlı paket içerisinde yerleştirilmiştir. Her transistör 47kΩ base ve emitter-base dirençleri ile önceden yapılandırılmıştır. Maksimum 100mA kolektör akımı, 230mW güç yönetimi kapasitesi ve 50V breakdown voltajı ile belirtilmiştir. DC akım kazancı (hFE) 5mA kolektör akımında 10V Vce'de minimum 80'dir. Ön beslemeli yapısı sayesinde ayrı bias dirençlerine gerek kalmadan entegre edilen dirençler ile sürücü devrelerinde, switch uygulamalarında ve sinyal seviye değişim devrelerinde kullanılmaktadır. Not: Bu komponent üretimi durdurulmuş (obsolete) durumdadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 5mA, 10V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | SOT-553 |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 230mW |
| Resistor - Base (R1) | 47kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 47kOhms |
| Supplier Device Package | SOT-553 |
| Transistor Type | 2 NPN - Pre-Biased (Dual) |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 300µA, 10mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok