Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Diziler
EMF8T2R
TRANS NPN PREBIAS/NPN 0.15W EMT6
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- SOT-563
- Seri / Aile Numarası
- EMF8T2R
EMF8T2R Hakkında
EMF8T2R, ROHM Semiconductor tarafından üretilen ön beslemeli NPN transistör dizisidir. Tek bir NPN ön beslemeli transistör ve bir NPN transistörden oluşan bu bileşen, 47kΩ base ve emitter-base dirençleri ile entegre olarak sunulur. Maximum 150mW güç tüketimi ve 50V/12V collector-emitter breakdown voltajı ile çeşitli uygulamalarda kullanılabilir. DC current gain değerleri 68 ile 270 arasında değişir. 250MHz ve 320MHz transition frekansları sayesinde yüksek hızlı anahtarlama işlemlerine uygundur. SOT-563 ve SOT-666 SMD paketlerde sunulan bu bileşen, sinyal amplifikasyonu, anahtarlama devreleri ve lojik uygulamalarında tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100mA, 500mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 68 @ 5mA, 5V / 270 @ 10mA, 2V |
| Frequency - Transition | 250MHz, 320MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | SOT-563, SOT-666 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 150mW |
| Resistor - Base (R1) | 47kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 47kOhms |
| Supplier Device Package | EMT6 |
| Transistor Type | 1 NPN Pre-Biased, 1 NPN |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 10mA / 250mV @ 10mA, 200mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V, 12V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok