Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Diziler
EMF5XV6T5G
TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SOT563
EMF5XV6T5G Hakkında
EMF5XV6T5G, onsemi tarafından üretilen ön beslemeli bipolar transistör dizisidir. Tek bir NPN ve bir PNP transistörden oluşan bu entegre komponent, dahili 47kΩ baz ve emitter-baz direnç ağları ile donatılmıştır. Maximum 100mA-500mA collector akımına sahip olan komponent, 50V/12V breakdown voltajı ile çalışır. 500mW güç disipasyon kapasitesine ve 80-270 arasında DC current gain değerine sahiptir. VCE saturation voltajı 250mV'dir. Surface mount SOT-563/SOT-666 paket seçenekleriyle sunulan komponent, sinyal işleme, switching uygulamaları ve lojik seviyeleme devreleri için uygun bir çözümdür. Aktif üretim durumunda olup çeşitli endüstriyel ve tüketici elektronik uygulamalarında kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100mA, 500mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 5mA, 10V / 270 @ 10mA, 2V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | SOT-563, SOT-666 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 500mW |
| Resistor - Base (R1) | 47kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 47kOhms |
| Supplier Device Package | SOT-563 |
| Transistor Type | 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 300µA, 10mA / 250mV @ 10mA, 200mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V, 12V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok