Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Diziler
EMF21T2R
TRANS NPN PREBIAS/PNP 0.15W EMT6
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- SOT-563
- Seri / Aile Numarası
- EMF21T2
EMF21T2R Hakkında
EMF21T2R, ROHM Semiconductor tarafından üretilen ön beslemeli bipolar transistör (BJT) dizisidir. Bir NPN ve bir PNP transistörden oluşan bu bileşen, SOT-563 ve SOT-666 yüzey montaj paketlerinde sunulmaktadır. 250-260MHz transition frekansı ile hızlı anahtarlama uygulamalarına uygun olup, maksimum 100-500mA kollektör akımı kapasitesi bulunmaktadır. 10kΩ base ve emitter-base direnç değerleri ile ön beslemeli tasarımı sayesinde ek biyaslandırma bileşenlerine ihtiyaç duymadan kullanılabilir. 150mW güç sınırlaması ile düşük güçlü sinyal işleme, dijital mantık seviyeleri uygulamaları ve anahtarlama devrelerinde tercih edilir. Vce doyma voltajı maksimum 300mV (NPN) ve 250mV (PNP) olup 50V/12V collector-emitter yıkılma gerilimi özelliklerine sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100mA, 500mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 30 @ 5mA, 5V / 270 @ 10mA, 2V |
| Frequency - Transition | 250MHz, 260MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | SOT-563, SOT-666 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 150mW |
| Resistor - Base (R1) | 10kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 10kOhms |
| Supplier Device Package | EMT6 |
| Transistor Type | 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 10mA / 250mV @ 10mA, 200mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V, 12V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok