Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Diziler

EMF17T2R

TRANS NPN PREBIAS/PNP 0.15W EMT6

Paket/Kılıf
SOT-563
Seri / Aile Numarası
EMF17T2R

EMF17T2R Hakkında

EMF17T2R, ROHM Semiconductor tarafından üretilen, 1 adet NPN ve 1 adet PNP transistörü içeren ön beslemeli (pre-biased) transistör dizisidir. SOT-563 ve SOT-666 yüzey montaj paketlerinde sunulan bu komponent, entegre baz ve emitter direnişleri (her biri 2.2kΩ) ile hazır kullanıma uygundur. Maksimum 100-150mA kollektor akımı, 250MHz transition frekansı ve 50V collector-emitter kesilme gerilimi özellikleriyle süratli anahtarlama uygulamalarında, sinyal işleme devrelerinde, gürültü bastırma ve RF amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. 150mW güç sınırlaması ile düşük güç tüketim gerektiren taşınabilir cihazlarda ve IoT uygulamalarında tercih edilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 100mA, 150mA
Current - Collector Cutoff (Max) 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 20 @ 20mA, 5V / 180 @ 1mA, 6V
Frequency - Transition 250MHz, 140MHz
Mounting Type Surface Mount
Package / Case SOT-563, SOT-666
Part Status Active
Power - Max 150mW
Resistor - Base (R1) 2.2kOhms
Resistor - Emitter Base (R2) 2.2kOhms
Supplier Device Package EMT6
Transistor Type 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 500µA, 10mA / 500mV @ 5mA, 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok