Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Diziler
EMD4T2R
TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W EMT6
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- SOT-563
- Seri / Aile Numarası
- EMD4T2R
EMD4T2R Hakkında
EMD4T2R, ROHM Semiconductor tarafından üretilen ön beslemeli (pre-biased) dual transistör dizisidir. Tek pakette 1 adet NPN ve 1 adet PNP transistörü barındırır. Entegre olarak tasarlanmış temel dirençler (base resistor) ve emitter dirençleriyle birlikte gelmektedir. 100mA maksimum kolektör akımı, 250MHz transition frequency ve 50V kolektör-emitter breakdown voltajı ile genel amaçlı anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. Düşük güç tüketimi (150mW max) ve yüzey montajı paketi (SOT-563, SOT-666) sayesinde kompakt elektronik tasarımlar, sinyal işleme devrelerinde ve lojik seviye dönüştürme uygulamalarında tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 68 @ 5mA, 5V |
| Frequency - Transition | 250MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | SOT-563, SOT-666 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 150mW |
| Resistor - Base (R1) | 47kOhms, 10kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 47kOhms |
| Supplier Device Package | EMT6 |
| Transistor Type | 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 10mA / 300mV @ 250µA, 5mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok