Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Diziler
EMD4DXV6T1G
TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V SOT563
EMD4DXV6T1G Hakkında
EMD4DXV6T1G, onsemi tarafından üretilen ön beslemeli (pre-biased) dual transistör dizisidir. Bir NPN ve bir PNP transistörü içeren bu bileşen, entegre direnç yapısına sahiptir. 50V kolektör-emiter gerilim değeriyle, 100mA maksimum kolektör akımı kapasitesine ve 500mW maksimum güç tüketimine sahiptir. Darlington konfigürasyonu sayesinde yüksek akım kazancı sunan bu transistör, 80 minimum DC akım kazancı (hFE) ile karakterize edilmiştir. SOT-563 (6 pinli) paket formatında sunulan EMD4DXV6T1G, transistör ön polarlaması gerektiren anahtarlama, amplifikasyon ve darbe şekillendirme uygulamalarında kullanılır. Düşük kolektör cutoff akımı (500nA) ile bileşen, enerji tasarrufu gerektiren portatif cihaz tasarımlarında tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 5mA, 10V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | SOT-563, SOT-666 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 500mW |
| Resistor - Base (R1) | 47kOhms, 10kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 47kOhms |
| Supplier Device Package | SOT-563 |
| Transistor Type | 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 300µA, 10mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok