Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Diziler
EMD29T2R
TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.12W EMT6
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- SOT-563
- Seri / Aile Numarası
- EMD29T2R
EMD29T2R Hakkında
EMD29T2R, ROHM Semiconductor tarafından üretilen ön beslemeli dual transistör dizisidir. Tek entegre içinde 1 adet NPN ve 1 adet PNP transistör barındıran bu komponent, koleksiyondan kaçak akımı maksimum 500nA ile sınırlandırılmıştır. Maksimum collector akımı 100mA (NPN) ve 500mA (PNP) seviyelerine ulaşmakta, 250-260MHz transition frekansı ile orta hızlı uygulamalara uygundur. Dahili base dirençleri (1kOhm ve 10kOhm) ve emitter-base direnci (10kOhm) sayesinde ön beslemeli tasarımıyla basit lojik seviyelendirme, sinyal yönetimi ve driver uygulamalarında kullanılır. Maksimum güç tüketimi 120mW, VCE doyum gerilimi 300mV'dir. Surface mount SMD paketinde (SOT-563, SOT-666) sunulan bu komponent, tasarımcıların PCB alanını minimize etmesine olanak tanır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100mA, 500mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 30 @ 5mA, 5V / 140 @ 100mA, 2V |
| Frequency - Transition | 250MHz, 260MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | SOT-563, SOT-666 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 120mW |
| Resistor - Base (R1) | 1kOhms, 10kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 10kOhms |
| Supplier Device Package | EMT6 |
| Transistor Type | 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 10mA / 300mV @ 5mA, 100mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V, 12V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok