Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Diziler
EMD22T2R
TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W EMT6
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- SOT-563
- Seri / Aile Numarası
- EMD22T2R
EMD22T2R Hakkında
EMD22T2R, ROHM Semiconductor tarafından üretilen ön beslemeli (pre-biased) dual BJT transistör dizisidir. Bir NPN ve bir PNP transistörden oluşan bu komponent, 4.7kΩ base ve 47kΩ emitter-base direnç yapılandırması ile gelmektedir. SOT-563/SOT-666 yüzey montajlı paketinde sunulan bileşen, 100mA maksimum kolektör akımı, 250MHz geçiş frekansı ve 150mW maksimum güç dağıtma kapasitesine sahiptir. Vce doyum gerilimi 300mV, Vce breakdown gerilimi 50V'tur. Bu transistör dizisi, sinyal amplifikasyonu, anahtarlama uygulamaları ve darbe şekillendirme devrelerinde yaygın olarak kullanılmaktadır. Ön beslemeli yapısı sayesinde kararlı işletme koşulları sağlar ve devre tasarımını basitleştirir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 10mA, 5V |
| Frequency - Transition | 250MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | SOT-563, SOT-666 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 150mW |
| Resistor - Base (R1) | 4.7kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 47kOhms |
| Supplier Device Package | EMT6 |
| Transistor Type | 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 250µA, 2.5mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok