Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Diziler
EMD12T2R
TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W EMT6
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- SOT-563
- Seri / Aile Numarası
- EMD12T2R
EMD12T2R Hakkında
EMD12T2R, ROHM Semiconductor tarafından üretilen ön beslemeli (pre-biased) NPN/PNP transistör çifti içeren entegre bir komponenttir. SOT-563 ve SOT-666 SMD paketinde sunulan bu bileşen, dahili 47kΩ'luk base ve emitter-base dirençleri ile donatılmıştır. 100mA maksimum collector akımı, 250MHz geçiş frekansı ve 150mW güç derecelemesi ile genel amaçlı anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 50V maksimum Vce breakdown voltajı ve 68 minimum DC akım kazancı (hFE) ile voltaj amplifikatörleri, sinyal anahtarlama devreleri ve DC/AC sürücü uygulamalarında tercih edilir. Ön beslemeli tasarımı sayesinde harici bias dirençleri gerektirmez ve kompakt tasarımlarda alan tasarrufu sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 68 @ 5mA, 5V |
| Frequency - Transition | 250MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | SOT-563, SOT-666 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 150mW |
| Resistor - Base (R1) | 47kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 47kOhms |
| Supplier Device Package | EMT6 |
| Transistor Type | 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 10mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok