Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Diziler

EMB9T2R

TRANS 2PNP PREBIAS 0.15W EMT6

Paket/Kılıf
SOT-563
Seri / Aile Numarası
EMB9T2R

EMB9T2R Hakkında

EMB9T2R, ROHM Semiconductor tarafından üretilen dual PNP ön beslemeli transistör dizisidir. Bu bileşen, entegre base ve emitter dirençleri (10kΩ ve 47kΩ) içeren kompakt bir yapıya sahiptir. 100mA maksimum collector akımı ve 250MHz transition frekansı ile orta hızlı anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 150mW maksimum güç tüketimi ve 50V breakdown voltajı ile sınırlı güç gerektiren devreler için uygundur. SOT-563 ve SOT-666 yüzey montaj paketlerinde sunulan bu bileşen, ön beslemeli yapısı sayesinde hassas voltaj referans devreleri, log amplifikatörler ve precision analog uygulamalarında yer alır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 100mA
Current - Collector Cutoff (Max) 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 68 @ 5mA, 5V
Frequency - Transition 250MHz
Mounting Type Surface Mount
Package / Case SOT-563, SOT-666
Part Status Active
Power - Max 150mW
Resistor - Base (R1) 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2) 47kOhms
Supplier Device Package EMT6
Transistor Type 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 250µA, 5mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok