Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Diziler
EMB6T2R
TRANS 2PNP PREBIAS 0.15W EMT6
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- SOT-563
- Seri / Aile Numarası
- EMB6T2R
EMB6T2R Hakkında
EMB6T2R, ROHM Semiconductor tarafından üretilen dual PNP ön beslemeli transistör dizisidir. SOT-563 ve SOT-666 SMD paketlerinde sunulan bu komponent, 150mW güç kapasitesi ile 30mA maksimum collector akımını destekler. 250MHz transition frequency ve 68 minimum DC current gain (hFE) değerleri hızlı anahtarlama uygulamaları için uygunluğunu gösterir. Entegre 47kOhm base ve emitter-base dirençleriyle ön beslemeli konfigürasyon sayesinde ayrı bias bileşenleri gerektirmez. 50V collector-emitter breakdown voltajı ve 300mV saturation voltajı ile düşük güç kaybı sağlar. Sinyal işleme, darbe şekillendirme, lojik seviyesi dönüşümü ve kompakt analog devrelerinde yaygın olarak kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 30mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 68 @ 5mA, 5V |
| Frequency - Transition | 250MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | SOT-563, SOT-666 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 150mW |
| Resistor - Base (R1) | 47kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 47kOhms |
| Supplier Device Package | EMT6 |
| Transistor Type | 2 PNP - Pre-Biased (Dual) |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 10mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok