Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Diziler
EMB53T2R
PNP+PNP DIGITAL TRANSISTOR (WITH
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- SOT-563
- Seri / Aile Numarası
- EMB53T2
EMB53T2R Hakkında
EMB53T2R, ROHM Semiconductor tarafından üretilen dual PNP pre-biased dijital transistördür. SOT-563 ve SOT-666 yüzey montaj paketlerinde sunulan bu bileşen, entegre 4kΩ base direnç ve 100 minimum DC current gain ile tasarlanmıştır. 100mA collector akımı ve 250MHz transition frequency özellikleriyle, anahtarlama uygulamalarında, lojik devreler arayüzünde ve sinyal işleme devrelerde kullanılır. 150mV saturation voltajı ve 50V VCEO breakdown voltajı ile kompakt tasarımlar ve güç kısıtlı uygulamalar için uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 5mA, 10V |
| Frequency - Transition | 250MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | SOT-563, SOT-666 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 150mW |
| Resistor - Base (R1) | 4kOhms |
| Supplier Device Package | EMT6 |
| Transistor Type | 2 PNP Pre-Biased (Dual) |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 150mV @ 500µA, 5mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok