Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Diziler
EMB51T2R
TRANS 2PNP PREBIAS 0.15W EMT6
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- SOT-563
- Seri / Aile Numarası
- EMB51T2
EMB51T2R Hakkında
EMB51T2R, ROHM Semiconductor tarafından üretilen çift PNP ön beslemeli transistör dizisidir. SOT-563 ve SOT-666 surface mount paketlerinde sunulan bu komponent, 150mW güç kapasitesi ve 50V maksimum Vce(br) kırılma gerilimi ile çalışır. İçeride 22kOhms değerindeki base ve emitter-base direnç ağları yer almaktadır. 250MHz transition frequency ve 60 minimum hFE değeri ile hızlı anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 30mA maksimum kolektör akımı ve 150mV saturasyon gerilimi, düşük akımlı güç yönetimi, LED sürücüleri, senkronizasyon devreleri ve mantık seviyesi dönüştürücü uygulamalarında tercih edilir. Ön beslemeli yapısı sayesinde kullanıma hazır komponent olarak kurulum kolaylığı sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 30mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 60 @ 5mA, 10V |
| Frequency - Transition | 250MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | SOT-563, SOT-666 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 150mW |
| Resistor - Base (R1) | 22kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 22kOhms |
| Supplier Device Package | EMT6 |
| Transistor Type | 2 PNP - Pre-Biased (Dual) |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 150mV @ 500µA, 5mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok