Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Diziler
EMB11T2R
TRANS 2PNP PREBIAS 0.15W EMT6
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- SOT-563
- Seri / Aile Numarası
- EMB11T
EMB11T2R Hakkında
EMB11T2R, ROHM Semiconductor tarafından üretilen dual PNP ön beslemeli transistör dizisidir. SOT-563 ve SOT-666 yüzey montajı paketlerde sunulan bu bileşen, her bir transistöre entegre 10kΩ base ve emitter-base dirençleri içerir. 100mA maksimum collector akımı, 50V collector-emitter kırılma gerilimi ve 250MHz transition frequency ile çalışır. 150mW maksimum güç kapasitesi ve 300mV saturasyon gerilimi özellikleriyle, sinyal anahtarlaması, güç kontrolü ve lojik seviye dönüştürme uygulamalarında kullanılır. Ön beslemeli tasarımı sayesinde hızlı açılma ve kapanma sağlar. Aktif ürün statüsü ile endüstriyel ve tüketici elektronik uygulamalarına uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 20 @ 5mA, 5V |
| Frequency - Transition | 250MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | SOT-563, SOT-666 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 150mW |
| Resistor - Base (R1) | 10kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 10kOhms |
| Supplier Device Package | EMT6 |
| Transistor Type | 2 PNP - Pre-Biased (Dual) |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 10mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok