Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Diziler
EMB11FHAT2R
TRANS 2PNP 100MA EMT6
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- SOT-563
- Seri / Aile Numarası
- EMB11FHAT2R
EMB11FHAT2R Hakkında
EMB11FHAT2R, ROHM Semiconductor tarafından üretilen ön beslemeli dual PNP transistör dizisidir. İçerisinde 2 adet PNP transistör ve entegre base emitter dirençlerini (her ikisi 10kΩ) barındıran bu komponent, analog ve dijital devre tasarımlarında hızlı anahtar uygulamaları için optimize edilmiştir. 100mA maksimum kolektor akımı, 250MHz transition frequency ve 150mW güç derecelendirmesi ile düşük sinyal işleme, logic seviye dönüştürme ve arayüz uygulamalarında kullanılır. Compakt SOT-563/EMT6 paketleme sayesinde yüksek yoğunluklu PCB tasarımlarına uyum sağlar. 300mV maksimum Vce saturation değeri ile etkin anahtar uygulamaları destekler.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 30 @ 5mA, 5V |
| Frequency - Transition | 250MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | SOT-563, SOT-666 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 150mW |
| Resistor - Base (R1) | 10kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 10kOhms |
| Supplier Device Package | EMT6 |
| Transistor Type | 2 PNP - Pre-Biased (Dual) |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 10mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok