Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Diziler
EMB10T2R
TRANS 2PNP PREBIAS 0.15W EMT6
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- SOT-563
- Seri / Aile Numarası
- EMB10T2R
EMB10T2R Hakkında
EMB10T2R, ROHM Semiconductor tarafından üretilen 2 PNP ön beslemeli transistör dizisidir. SOT-563 ve SOT-666 yüzey montajlı paketlerde sunulan bu bileşen, 100mA maksimum kolektör akımı ve 50V VCEO kırılma gerilimi ile çalışır. Maksimum 150mW güç tüketimi ve 250MHz geçiş frekansı ile hızlı anahtarlama uygulamalarında kullanılır. İçerisinde entegre 2.2kΩ baz ve 47kΩ emiter baz dirençleri bulunur. Düşük kesme akımı (500nA max) ve 80 minimum DC akım kazancı ile sinyal şartlandırma, mantık seviyeleri dönüştürme ve anahtarlama devrelerinde uygulanır. Ön beslemeli yapısı sayesinde kısa dönüş süresi ve kararlı anahtarlama performansı sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 10mA, 5V |
| Frequency - Transition | 250MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | SOT-563, SOT-666 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 150mW |
| Resistor - Base (R1) | 2.2kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 47kOhms |
| Supplier Device Package | EMT6 |
| Transistor Type | 2 PNP - Pre-Biased (Dual) |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 250µA, 5mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok