Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Diziler
EMB10FHAT2R
PNP+PNP DIGITAL TRANSISTOR (CORR
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- SOT-563
- Seri / Aile Numarası
- EMB10FHAT2R
EMB10FHAT2R Hakkında
EMB10FHAT2R, ROHM Semiconductor tarafından üretilen çift PNP ön beslemeli dijital transistör (Dual PNP Pre-Biased) bileşenidir. SOT-563 ve SOT-666 yüzey montaj paketlerinde sunulan bu komponent, entegre 2.2kΩ ve 47kΩ dirençlerle önceden yapılandırılmıştır. 100mA maksimum kollektör akımı, 80 (min) DC akım kazancı ve 250MHz transition frekansı ile hızlı anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 50V kollektör-emitter kırılma voltajı ve 150mW maksimum güç derecelendirmesi sayesinde endüstriyel kontrol, sinyal işleme ve lojik uygulamalarında yaygın olarak yer alır. Ön beslemeli yapı, harici biyaslandırma dirençlerine gerek duymadan doğrudan kullanıma uygun hale getirir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 10mA, 5V |
| Frequency - Transition | 250MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | SOT-563, SOT-666 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 150mW |
| Resistor - Base (R1) | 2.2kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 47kOhms |
| Supplier Device Package | EMT6 |
| Transistor Type | 2 PNP - Pre-Biased (Dual) |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 250µA, 5mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok