Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
EM6M1T2R
MOSFET N/P-CH 30V/20V EMT6
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- SOT-563
- Seri / Aile Numarası
- EM6M1T2R
EM6M1T2R Hakkında
ROHM Semiconductor tarafından üretilen EM6M1T2R, N-channel ve P-channel MOSFET transistörlerin entegre edildiği bir dizidir. Logic level gate özelliğine sahip bu bileşen, 30V (N-channel) ve 20V (P-channel) drain-source voltajında çalışabilmektedir. 100mA ile 200mA arasında sürekli dren akımına kapasite sahiptir. 8Ω maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim direncine, 0.9nC gate charge ile hızlı anahtarlama özelliğine ve 150mW güç kapasitesine sahiptir. SOT-563 ve SOT-666 paket seçenekleriyle sunulan bu transistör dizisi, güç yönetimi, anahtarlama uygulamaları, SMPS devreleri ve dijital kontrol uygulamalarında kullanılmaktadır. -150°C ile +150°C işletme sıcaklığı aralığında güvenilir performans sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 100mA, 200mA |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V, 20V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | N and P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 0.9nC @ 4.5V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 13pF @ 5V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | SOT-563, SOT-666 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 150mW |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8Ohm @ 10mA, 4V |
| Supplier Device Package | EMT6 |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok