Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
EM6J1T2R
MOSFET 2P-CH 20V 0.2A EMT6
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- SOT-563
- Seri / Aile Numarası
- EM6J1T2R
EM6J1T2R Hakkında
EM6J1T2R, ROHM Semiconductor tarafından üretilen dual P-Channel MOSFET transistörüdür. Logic level gate özelliği ile 4.5V gate voltajında çalışabilen bu bileşen, 20V drain-source voltajında 200mA sürekli drenaj akımı sağlar. 1.2Ω RDS(on) direnci ile minimum güç kaybı sunar. Düşük gate charge (1.4nC) ve input capacitance (115pF) değerleri hızlı anahtarlama uygulamalarında tercih edilmesini sağlar. 150°C maksimum çalışma sıcaklığında 150mW güç yönetebilen bu bileşen, Surface Mount EMT6 paketinde sunulmaktadır. Anahtarlama devreleri, load switching, motor kontrol ve güç yönetimi uygulamalarında yaygın olarak kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 200mA |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | 2 P-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 1.4nC @ 4.5V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 115pF @ 10V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | SOT-563, SOT-666 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 150mW |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.2Ohm @ 200mA, 4.5V |
| Supplier Device Package | EMT6 |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 100µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok